DMG6601LVT-7
26.87 руб
/шт
В
наличии: 40 шт.
Описание
ТРАНЗИСТОРНАЯ СБОРКА
МОП-транзистор 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
Id - непрерывный ток утечки
3.8 A, - 2.5 A
Pd - рассеивание мощности
850 mW
Qg - заряд затвора
12.3 nC, 13.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
34 mOhms, 70 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V, - 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 12 V, +/- 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
500 mV, - 1.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
7.4 ns, 4.6 ns
Время спада
15.6 ns, 2.2 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
1 N-Channel, 1 P-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel, P-Channel
Производитель
Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DMG6601
Технология
Si
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
31.2 ns, 18.3 ns
Типичное время задержки при включении
1.6 ns, 1.7 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Reel
Упаковка / блок
TSOT-26-6
Купить DMG6601LVT-7 производства Diodes со склада компании "Смарт-ЭК" по цене 26.87 руб.
Уточнить технические характеристики компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте, а также по электронной почте zapros@smart-ek.ru или позвонив по телефону 8 (800) 533-75-79.